%0 Journal Article
%T 高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%X 在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度，迁移率，电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合，利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法。
%K HgCdTe电阻－温度关系光导探测器红外探测
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960469&flag=1