%0 Journal Article
%T InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%X 报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器，采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＾＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ，器件的串联电阻最低达１２０Ω。
%K InGaAs量子阱面发射激光器
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960351&flag=1