%0 Journal Article %T 砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究 %J 红外与毫米波学报 %D 1996 %X 应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了As离子注入CdTeMBE外延膜的热退火行为。发现随着退炎温度升高至440℃,其晶格恢复和缺陷态消除得最完整当TA高于440℃,晶格质量陡峭地下降,TA越高,越多的As占据Te位作为Te位受主,样品表现为更小的补系数和更高的空穴浓度。 %K 光谱离子注入热退火散射谱荧光谱碲化镉砷 %U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960109&flag=1