%0 Journal Article
%T 缺陷俘获势垒测定新方法——瞬态光霍耳谱
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%X 以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ中ＤＸ中心的俘获势垒
%K 瞬态光霍耳谱（TPHS）
%K 深能级瞬态谱（DLTS）
%K DX中心
%K 俘获势垒
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960105&flag=1