%0 Journal Article
%T 热处理硅中缺陷对室温光致发光的影响(详细摘要)
%J 红外与毫米波学报
%D 1985
%X 用室温光致发光方法研究了经450～950℃热处理后硅中的热缺陷行为。光致发光强度密切地依赖于热处理的温度条件。在450℃时,光致发光强度增强,热缺陷减少了非辐射复合中心。高于550℃时,光致发光强度减弱,热缺陷增加了非辐射复合中心。光致发光强度与热缺陷腐蚀斑密度有关。
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19850550&flag=1