%0 Journal Article
%T 在10.6μm上硅单晶吸收系数与电阻率的关系
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%X 本文目的是确定半导体硅吸收系数α与电阻率ρ的关系,并以相应曲线作为校正曲线,用于硅的电阻率、杂质浓度及其分布的测定。我们用10.6μmCO_2激光测量硅样品的透射率T,由公式T=(1-R)~2e~(-αz)/1-R~2e~(-2αz)求得吸收系数α,通过定标曲线α-ρ确定硅单晶的电阻率ρ_0样品两面切成平行平面,研磨后抛光成光学平面。在本实验装置中10.6μm激光束适当地
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=198404152&flag=1