%0 Journal Article
%T 砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%X GaAs的等离子体氧化国外已有报道,其表面态密度约为10~(11)/cm~2·eV量级,击穿场强大于10~6V/cm。可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜。GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱及其对GaAs的增透作用,尚未见报道。我们制备成功的GaAs-OPA膜的主要工艺条件为:高频振荡器的直流功率约1.5kW,
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=198404151&flag=1