%0 Journal Article
%T 论掺铜GaAs中受主络合物和束缚激子
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%X 本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱(1.36eVPL带,束缚激子Co(1.5026eV)和F_0(1.4832eV)等)的行为进行了全面、系统的研究,并对前人的结果做了评述。首次报道了扩铜条件及其扩铜后的淬火过程和热处理条件对PL谱线的影响,其主要结果如下:(1)在Ga-GaAs溶液中扩铜,仅能观察到
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=198404141&flag=1