%0 Journal Article
%T 用光声谱研究硅单晶中~(31)P~离子注入
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%X 本文报道用光声谱法在近红外波段(0.8～1.6μm)研究硅单晶片中~(31)P~离子注入的效应,得到了低剂量情况下的结果,并认为有希望成为硅中离子注入剂量的检测方法。低注入剂量情况下,离子注入会在半导体中造成局域能级,在高剂量下离子注入则使半导体晶片的晶格完全破坏,变成非晶硅。光谱测试表明,在1.1～1.38μm波长范围内,单晶硅几乎是
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19840482&flag=1