%0 Journal Article
%T 用变温光电法测量MIS太阳电池势垒高度
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%X 我们发展了一种变温光电测试方法,用这种方法可以测量类如MIS隧道二极管结构器件的势垒高度、表面态密度等。对浅结MINP太阳电池的表面势垒高度也可进行测量。太阳电池的各参数主要由能带结构和界面态来决定,浅结MINP太阳电池(其结深一般为0.2～0.3μm)的表面空间耗尽层宽度(一般为0.1～0.3μm)与结深基本上相同。使
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=198404104&flag=1