%0 Journal Article
%T GaAs中缺陷的光致发光研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1992
%X 用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的跃迁.认为1.447eV和1.32eV荧光带系分别对应于与Ga_(As)的两个电子态(38meV和203meV)有关的辐射复合.
%K 半绝缘砷化镓光致发光缺陷
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19920105&flag=1