%0 Journal Article
%T MOCVD生长的平面型InGaAs／InPPIN光电探测器件
%J 红外与毫米波学报
%D 1993
%X 讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
%K 量子效率
%K PIN结探测器
%K 稳定性
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19930228&flag=1