%0 Journal Article
%T GaAs中4d过渡杂质Mo与Pd的光电行为
%J 红外与毫米波学报
%D 1993
%X 4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E(0.42eV)、H(0.61eV)和E(0.66eV)、H(0.69eV)等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为,推测这些杂质在GaAs中不起有效复合中心的作用。
%K 砷化镓杂质钼铅过渡元素
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19930224&flag=1