%0 Journal Article
%T 9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%X 用分子束外延方法生长了ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０＾３Ｖ／Ｗ。
%K 异质结锗硅合金红外探测器
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19940234&flag=1