%0 Journal Article
%T HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容—电压谱研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%X 在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构。报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果。研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普遍ＭＩＳ器件的高频Ｃ－Ｖ曲线。
%K 超晶格分子束外延MIS系统电容
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19940119&flag=1