%0 Journal Article
%T 分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格
%J 红外与毫米波学报
%D 1994
%X 提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。
%K 分子束外延红外材料超晶格半导体
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19940115&flag=1