%0 Journal Article
%T InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
%J 红外与毫米波学报
%D 1995
%X 利用时间光辨光谱技术，在１１￣９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。
%K 子带间弛豫应变层量子阱铟镓砷激子
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19950345&flag=1