%0 Journal Article
%T 基于InP基HEMTs的W波段高增益低噪声放大MMIC
%A 李凯凯
%A 李新建
%A 金智
%A 钟英辉
%J 红外与毫米波学报
%D 2015
%X 基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路.共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高的增益，其芯片面积为900 μm × 975 μm，84 ~100 GHz频率范围内增益大于10 dB，95 GHz处小信号增益达到最大值为15.2 dB.根据调查对比，该单级放大电路芯片具有最高的单级增益和相对高的增益面积比.另外，该放大电路芯片在87.5 GHz处噪声系数为4.3 dB，88.8 GHz处饱和输出功率为8.03 dBm.该低噪声放大器芯片的成功研制对于构建一个W波段信号接收前端具有重要的借鉴意义
%K 高电子迁移率晶体管 低噪声放大电路 磷化铟 共源共栅
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=140493&flag=1