%0 Journal Article %T 原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响 %A 石刚 %A 李亚军 %A 左少华 %A 江锦春 %A 胡古今 %A 褚君浩 %J 红外与毫米波学报 %D 2011 %X 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300~500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大,但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰,而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致. %K ZnS薄膜 %K 原位退火 %K 光致发光 %K 磁控溅射 %U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=100630&flag=1