%0 Journal Article
%T 原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响
%A 石刚
%A 李亚军
%A 左少华
%A 江锦春
%A 胡古今
%A 褚君浩
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%X 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300～500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明，退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大，但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰，而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致.
%K ZnS薄膜
%K 原位退火
%K 光致发光
%K 磁控溅射
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=100630&flag=1