%0 Journal Article
%T Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制
%A 沈川
%A 顾仁杰
%A 傅祥良
%A 王伟强
%A 郭余英
%A 陈路
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%X 基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论，修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究，实验结果与理论曲线基本吻合，从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10μm的CdTe/Si进行500℃快速退火1min，可使位错密度降低0.5～1个数量级，最好结果为2.5?105cm-2.
%K 碲镉汞
%K 热退火
%K 位错
%K 分子束外延
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=110059&flag=1