%0 Journal Article
%T GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱
%A 钱轩
%A 谷晓芳
%A 姬扬
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%X 基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS)，确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明，随着测量温度的升高，能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明，随着测量磁场的增大，能带带隙则发生了红移现象;它们均与GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴的带填充效应有关.基于Kramers-Kronig关系的理论模拟给出了和实验测量相似的结果.
%K 微波调制反射谱
%K 二维电子系统
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=100814&flag=1