%0 Journal Article
%T Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
%A 张蕾
%A 邢怀中
%A 黄燕
%A 张会媛
%A 王基庆
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%X 利用第一性原理局域密度自旋近似方法，研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.
%K GaN:Si
%K 第一性原理
%K 磁性
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=100528&flag=1