%0 Journal Article
%T Ga/N共掺杂对InSb电子结构的影响
%A 张会媛
%A 邢怀中
%A 张蕾
%J 红外与毫米波学报
%D 2012
%X 利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法，研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下，当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些理论结果对半导体材料的能带工程提供了一定的参考价值.
%K 电子结构
%K Ga/N共掺杂
%K InSb
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=110337&flag=1