%0 Journal Article
%T Cd1-xMnxTe晶体衬底的红外透过性能
%A 张继军
%A 王林军
%A 闵嘉华
%A 施凌云
%A 黄健
%A 秦凯丰
%A 施朱斌
%A 唐可
%A 梁小燕
%A 夏义本
%J 红外与毫米波学报
%D 2012
%X 研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长，获得面积为30mm×40mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片；晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明,吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039，其中轴向成分波动差值约为0.0152，径向成分波动差值约为0.0013；x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5~55cm-1；退火后，晶体的吸收边位置没有变化，表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明,晶片在红外光波数为4000~500cm-1范围的红外透过率为45%～55%；退火后，晶片的红外透过率提高到61%以上，接近理论值65%.
%K 晶体生长
%K 碲镉汞外延衬底
%K 吸收边
%K 红外透过率
%K 退火
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=110051&flag=1