%0 Journal Article
%T 有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47AsHEMTs
%A 钟英辉
%A 王显泰
%A 苏永波
%A 曹玉雄
%A 张玉明
%A 刘新宇
%A 金智
%J 红外与毫米波学报
%D 2013
%X 成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下，当器件VDS为1.7V、VGS为0.1V时，其有效跨导达到了1052mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032Ω·mm，器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7Ω·cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻，进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100MHz到40GHz，S参数外推出来的fT和fmax分别为151GHz和303GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.
%K 高电子迁移率器件
%K 栅长
%K 栅槽
%K InP
%K InAlAs/InGaAs
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=120087&flag=1