%0 Journal Article
%T GaP：N液相外延层中杂质对PL谱的影响
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%X 借助低温光致发光方法测量了ＧａＰＮ双液相外延材料ＰＬ谱，结果表明：辐射复合效率高的材料ＰＬ谱基本上由孤立Ｎ和ＮＮｉ等束缚激子尖锐峰组成；发光效率较低的ＰＬ谱含有ＤＡ对辐射跃迁的钟形谱上迭加ＮＮｉ峰．分析了谱峰的性质，阐明了提高ＧａＰＮ外延片发光效率的制备工艺途径
%K GaPN
%K 液相外延
%K 光致发光
%K 辐射复合
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19970110&flag=1