%0 Journal Article
%T n—HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1998
%X 利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．
%K 定量迁移率谱分析
%K 表面积累层
%K HgCdTe
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19980333&flag=1