%0 Journal Article
%T 分子束外延Hg0.68Cd0.32Te薄膜光致发光和喇曼散射的研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1998
%X 对利用ＭＥＢ技术生长的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究，拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度，与红外透射谱得到的薄膜带宽相近；其半宽仅为５ｍｅＶ，带尾能量小于１．３ｍｅＶ，显示了较高的薄膜质量。
%K 光致发光红外材料喇曼散射远红外汞镉碲
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19980216&flag=1