%0 Journal Article
%T 非掺杂p型MBE—Hg1—xCdxTe材料的受主性质
%J 红外与毫米波学报
%D 1998
%X 对经２５０℃Ｐ型热处理获得的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅＭＢＥ材料进行变温霍耳测量和理论拟合计算，由此得到ＨｇＣｄＴｅ－ＭＢＥ材料的受主浓度为２－３×１０＾１６ｃｍ＾－３，残余施主浓度为５×１０＾１５ｃｍ＾－３左右，两才相比显示材料的补偿度较低，拟合得到的汞空位受主能级为１５－１８ｍｅＶdisplaystructure
%K 分子束外延碲镉汞非掺杂p型受主性质红外
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19980105&flag=1