%0 Journal Article
%T 用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的光学性质
%J 红外与毫米波学报
%D 1999
%X 报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO2层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系.实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO2层的缺陷发光.在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强.纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应.在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果.
%K 纳米硅
%K 离子注入
%K 热退火
%K 光致发光
%K 拉曼散射
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=199906118&flag=1