%0 Journal Article
%T 短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响
%J 红外与毫米波学报
%D 1999
%X 利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＾＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷。根据深能级的有关参数，估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ。
%K 导纳谱缺陷能级汞镉碲光电二极管红外器件
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19990259&flag=1