%0 Journal Article
%T 热处理过程中Hg1—xCdxTe／CdTe界面互扩散研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1999
%X 对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．
%K HgCdTe异质结
%K 热处理
%K 互扩散
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19990258&flag=1