%0 Journal Article
%T MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1999
%X 用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区，结区增透引起红外透射光谱的峰值提高．
%K MBE
%K HgCdTe
%K 剥层霍耳测量
%K 红外透射光谱
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19990140&flag=1