%0 Journal Article
%T GaAs中Be受主的光热电离光谱研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%X 应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较，将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁，同时在实验上也观察到Ｂｅ受主１ｓ３／２（Γ％＾＋）态到２ｐ１／２（Γ＾）态跃迁，由实验结果算得Ｂｅ受主的电离能为２８．６ｍｅＶ。
%K 浅杂质受主光热电离光谱砷化镓半导体铍
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20000597&flag=1