%0 Journal Article
%T 赝形δ掺杂AIGaAs／InGaAds／GaAs量子阱的光致发光性质研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%X 测量了一系列不同隔离层（ｓｐａｃｅｒ）厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管（ｐＨＥＭＴｓ）量子阱的变温和变激发功率光致发光谱，详细研究了（ｅｌ－ｈｈ１）和（ｅ２－ｈｈ１）两人发光峰之间的动态竞争发光机制，并运用有限差分法自治求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能极以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率，研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。
%K 量子阱光致发光性质δ掺杂砷化镓半导体
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20000586&flag=1