%0 Journal Article
%T 低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%X 利用退火技术，实现了在低温ＧａＡｓ外延层上ＩｎＡｓ量子点的生长。透射电镜（ＴＥＭ）研究表明，低温ＧａＡｓ外延层上生长的ＩｎＡｓ量子点比通常生长的ＩｎＡｓ量子眯明显变小，且密度变大，认为是由于低温ＧａＡｓ中的点缺陷以及Ａｓ沉淀引起的：点缺陷释放了部分弹性能，使得量子点变小，而Ａｓ沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱（ＰＬ）上，退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高，且半高宽变窄。
%K 外延生长砷化镓砷化锢砷沉淀低温量子点
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20000352&flag=1