%0 Journal Article
%T 窄禁带Hg0.79Cd0.21Te的红外光致发光
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%X 对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进，引入双调制技术，消除了室温背景黑体辐射在４μｍ至５μｍ以上区域对光致发光测量带来的严重干扰，在１０μｍ红外波段得到了组分ｘ＝０．２１窄禁带ＨｇＣｄＴｅ的光致发光光谱，对光谱的主要结构地进行了指认，发现存在于这种材料中的４ｍｅＶ的杂质能级，其来源是材料中的浅杂质。
%K 红外光致发光窄禁带半导体HgCdTe
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20000351&flag=1