%0 Journal Article
%T 生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs／AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%X 测量了生长在（311）A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱，变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰，将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁，高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动，认为它来源于量子点中Г能谷与价带之间的跃迁，在压力下还观察了一个新的与X相关的发光峰，认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关。
%K 压力光致发光谱InAlAs／AlGaAs自组织Ⅱ型量子点Ⅱ型跃迁Г能带跃迁X能谷劈裂
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20010118&flag=1