%0 Journal Article
%T 660—GHz频段波导型SIS混频器嵌入阻抗的特性研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2002
%X 基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法，对一660GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个600－720GHz的工作频带范围内进行了详细的分析研究。同时，还系统地分析计算了SIS结芯片的馈点偏移（包括水平偏移和垂直偏移）及芯片厚度和背向短路器长度变化所产生的影响，分析结果表明，该混频器的嵌入阻抗为35Ω左右，而且在整个工作频带内变化缓慢，能够实现宽频带匹配。SIS结芯片馈点的位置对嵌入阻抗没有太大的影响，但芯片厚度的影响非常明显。这些结果对超导SIS混频器的研制有很好的指导意义。
%K 660－GHz频段波导型SIS混频器特性研究嵌入阻抗亚毫米波集总源工作频带研制
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200206121&flag=1