%0 Journal Article
%T 采用ZnCdTe衬底的MBEHg1—xCdxTe位错密度研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2002
%X 报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果.研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关.通过衬底制备以及生长条件的优化,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到4.2×105cm-2,标准差为3.5×105cm-2,接近ZnCdTe衬底的位错极限.可重复性良好,材料位错合格率为73.7%,可满足高性能Hg1-xCdxTe焦平面探测器对材料位错密度的要求.
%K 分子束外延
%K Hg1－xCdxTe薄膜
%K 位错密度
%K MBE
%K 汞镉碲薄膜
%K ZnCdTe
%K 锌镉碲化合物
%K 红外焦平面探测器
%K 生长条件
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20020107&flag=1