%0 Journal Article
%T ZnSeTe／ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2002
%X 测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0-7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚洋鬼子发光，发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小的约50%，表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻（CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象。
%K Te等电子陷阱光致发光谱锌硒碲三元化合物Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体静压ZnSeTe／ZnSeZnSe硒化锌量子阱
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20020108&flag=1