%0 Journal Article
%T 溅射气压对Si／Ge多层膜结构光学常数的影响
%J 红外与毫米波学报
%D 2003
%X 采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪，测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数，测量能量范围为1．5－4．5eV，分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响，实验结果表明，在低能区域，随压强的增加，多层膜结构的所有光学常数均有不同程度的增加，但在高能区域，溅射气压对光学常数的影响不再明显，多层膜结构的复介电常数的实部和虚部及折射率n的峰位随压强增大而向低能方向位移，多层膜结构的消光系数k的峰位随压强的变化很小，但其峰值随压强的增加而增加。
%K 溅射气压Si／Ge多层膜结构椭偏光谱光学常数磁控溅射硅硅衬底大规模集成电路
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20030118&flag=1