%0 Journal Article
%T 纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2003
%X 报道了用纳米碳管模板法制备的GaP纳米棒的拉曼光谱特征，观测到声子限制效应引起的GaP纳米棒TO和LO模的红移，红移量一般在2－10cm^-1之间，与所测到的纳米棒的尺寸有关，在偏振特性研究中，发现GaP纳米棒的偏振特性不能用单根纳米棒的选择定则来解释，而与测量光斑内多根纳米棒的无序取向有关，无序程度越高，偏振特性的方向性越弱，当激发光功率增加时，GaP纳米棒的TO和LO模的频率显著减少，表明纳米棒中的激光加热效应比体材料中强很多，而且GaP纳米棒的拉曼散射强度随激发光功率的增加先饱和，然后减小，表明在强激发功率下GaP纳米棒中的缺陷会迅速增加。
%K 纳米碳管模板法GaP纳米棒拉曼光谱偏振特性半导体材料磷化镓
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20030101&flag=1