%0 Journal Article
%T InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术
%A 徐庆庆
%A 陈建新
%A 周易
%A 李天兴
%A 吕翔
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%X 报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度，以及界面的优化等，改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配，获得了晶格失配Δa/a=1.5?10-4，原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料，材料77K截止波长为4.87μm.
%K InAs/GaSb
%K 超晶格
%K 分子束外延
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=100750&flag=1