%0 Journal Article
%T 利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料
%A 张可锋
%A 林铁
%A 王妮丽
%A 王仍
%A 焦翠灵
%A 林杏潮
%A 张莉萍
%A 李向阳
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%X 窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率,并给出了它们对电导的相对贡献,以及自然氧化对样品中各种载流子的影响.
%K 碲镉汞
%K 磁输运
%K 迁移率谱
%K 自然氧化
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=100631&flag=1