%0 Journal Article
%T 最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT
%A 刘果果
%A 魏珂
%A 黄俊
%A 刘新宇
%A 牛洁斌
%J 红外与毫米波学报
%D 2011
%X 报道了最大振荡频率为200GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1A/mm,跨导为421mS/mm,截止频率(fT)为30GHz,最大振荡频率(fmax)为105GHz.采用湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50GHz,最大振荡频率提高到200GHz.
%K AlGaN/GaN
%K HEMT
%K 蓝宝石衬底
%K fmax
%K InGaN背势垒
%K 湿法腐蚀
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=100353&flag=1