%0 Journal Article
%T 掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质
%A 张小华
%A 陈路
%A 林铁
%A 何力
%A 郭少令
%A 褚君浩
%J 红外与毫米波学报
%D 2012
%X 碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11～300K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析，结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对，还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大，退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两步退火后材料中存在TeHg，TeHg留在材料中使迁移率减小.
%K 碲镉汞光致发光载流子浓度
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=110685&flag=1