%0 Journal Article
%T 砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能
%A 李海滨
%A 林春
%A 陈兴国
%A 魏彦峰
%A 徐竟杰
%A 何力
%J 红外与毫米波学报
%D 2012
%X 采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm，规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法，测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6~5.3μm之间，而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列，获得了良好的电学性能，该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级，而-0.5v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为，器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.
%K As掺HgCdTe
%K 长波HgCdTe红外光电二极管阵列
%K 伏安特性
%K 表面处理工艺
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=110566&flag=1