%0 Journal Article
%T MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管
%A 顾仁杰
%A 沈川
%A 王伟强
%A 付祥良
%A 郭余英
%A 陈路
%J 红外与毫米波学报
%D 2013
%X 对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证结果显示,在10V反偏电压下,该器件电流增益可达335.
%K 碲镉汞
%K 雪崩光电二极管
%K 雪崩增益
%K 击穿电压
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=120104&flag=1