%0 Journal Article
%T 基于InP衬底的晶格失配In0.68Ga0.32As的MOCVD生长及其特性研究
%A 朱亚旗
%A 陈治明
%A 陆书龙
%A 季莲
%A 赵勇明
%A 谭明
%J 红外与毫米波学报
%D 2013
%X 采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μmIn0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x“虚拟”衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在“虚拟”衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.
%K In0.68Ga0.32As
%K 应力释放
%K InAsxP1-x
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=120257&flag=1